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TOPCon高效電池管式PECVD設備

核心技術(shù)

非晶硅在高溫晶化時(shí)脫膜抑制技術(shù)

低粉塵工藝技術(shù)

沉積薄膜過(guò)程電場(chǎng)阻抗系統穩態(tài)控制技術(shù)

大面積均勻性控制技術(shù)

等離子體脈沖氧化法制備超薄氧化硅技術(shù)

“氧化硅+原位摻雜非晶硅”二合一工藝技術(shù)

相關(guān)描述

金辰股份與中科院寧波材料所展開(kāi)戰略合作,探索出用管式PECVD裝備實(shí)現TOPCon光伏電池核心材料“超薄氧化硅+原位摻雜非晶硅”的制備,同時(shí)在抑制非晶硅爆膜、防止電場(chǎng)導通、實(shí)現高效電池全工藝集成等關(guān)鍵技術(shù)方面取得了重大突破,推出了簡(jiǎn)化工藝流程解決方案。

等離子體增強型化學(xué)氣象沉積(PECVD)技術(shù)

依靠等離子電場(chǎng)硅烷解離,沉膜速率快,摻雜效率高

定向沉積,繞鍍輕微,成品率高

低溫工藝,腐蝕性附產(chǎn)物少,耗材成本低

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